随着近两年的发展，罗斯蒙特差压变送器在很大的程度上推动并加速了差压变送器技术的飞速发展，因此说罗斯蒙特差压变送器技术是变送器产品发展的保证和机遇。

　　最近的几十年以来，罗斯蒙特差压变送器以微电子技术为基础，促进了变送器技术的发展。未来10～20年，罗斯蒙特差压变送器所应用的传统硅技术将进入成熟期(预测为2014年～2017年)。届时，罗斯蒙特差压变送器系列产品中所应用的多晶硅，特别是直径300mm硅晶片将大量用于生产，使得硅的低成本制造技术和硅的应用技术将得到空前的发展，这无疑将为研制生产微型罗斯蒙特差压变送器系列变送器、罗斯蒙特差压变送器智能变送器以及新型变送器提供技术保障。

　　从总体的发展方向来看，罗斯蒙特差压变送器系列产品对于传统的硅技术将会是一直延续到2047年(即晶体管发明的100周年)才可能会趋于饱和(即达到芯片特征尺寸的极限)甚至是衰退，在这之前罗斯蒙特差压变送器会持续飞速发展。